Основные технические параметры
Параметры измерения: определение C, Si, CEL, ΔT, ΔTM, расчет прочности на разрыв Rm, твердости HB, коэффициента качества R/H, количества агломератов MEG, коэффициента графитизации K
Диапазон измерений: согласно ICEBC584, тип K (Nicr-Ni) 200~1370℃ C: 2.1~4.2 Si: 0.6~4.2 CEL: 2.5~5.0
Точность: <±1℃ CEL±0.047% C±0.039% SI±0.1%
Дисплей: 4-битный светодиодный дисплей цифровой 500 мм Разрешение: 1 ℃
Режим работы: 9 клавиш для выбора необходимых параметров, из которых "Auto" ключ цикла отображения C, Si, CEL через ручку потенциометра для регулировки содержания Si, через ручку потенциометра для регулировки содержания C
Параметры печати: HB, RM, PEAK, TL, CEL, SC, TS, C%, Si%.